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[開箱+測試] 三星 低電壓(hyk0)記憶體 開箱簡測

該用戶從未簽到

發表於 2012-5-16 12:37 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
本帖最後由 kovan 於 2012-5-16 12:37 編輯

MD的朋友們,大家好!...  這次Kovan帶了的是三星低電壓版本(黑武士)的記憶體開箱以及簡單的初步測試,大家有興趣的話不彷可以上網搜尋『HYK0』就可以知道更多資訊^^


託友人從對岸帶回來的,是坐飛機來的唷~




特色是PCB版是黑色的、DDR3-1600 4GB版本 電壓預設1.35V 30nm製成

預設參數如下:
DDR3-1600 CL11   11-11-11-28
DDR3-1333 CL9    9-9-9-24
DDR3-1066 CL7    7-7-7-20
DDR3-800  CL6    6-6-6-18

支援預設電壓:1.35V、1.5V

開箱產品照



整體黑色配色加上短版,有種短小精悍的感覺







請認明顆粒上的HYK0



簡單的幾張圖,相信各位朋友對三星記憶體有簡單的認識...

接下來 上機簡單測試...
  • Good luck and nice photo shoot.

    狂少 貢獻度 +28

該用戶從未簽到

 樓主| 發表於 2012-5-16 12:37 | 顯示全部樓層
本帖最後由 kovan 於 2012-5-16 12:56 編輯

測試平台:  
CPU:AMD FX8120 預設3.1GHz 15.5*200
MB:ASUS  Crosshair V formula
RAM:三星黑條HYK0雙通道
HDD:OCZ Agility 60GB +數顆硬碟...
Power: CoolerMaster Slient PRO Gold 600W

( 誤   根本看不出來XD


BIOS設定

先送上一張SPD資訊


為了凸顯記憶體的優異性 1866-2133頻率測試皆採主機板預設值

DDR3-1600 CL11 時序11-11-11-28




1600預設頻率就不PO  BIOS了直接跳進1866開始

DDR3-1866 CL9 時序9-11-11-28






測試



DDR3-2133 CL9 時序9-11-11-28





測試



DDR3-2400 CL10 時序10-11-11-28





這邊要說明一下:AIDA的測試記憶體傳輸速度沒這麼快是因為更改了HT



殘念的DDR3-2600(待抓參數 ><"






  • 這對RAM說實在是要大推~你的測試也實在是詳.

    yinchunn2000 貢獻度 +28

  • 超越極限吧XD

    kiramisa 貢獻度 +20

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發表於 2012-5-16 13:37 | 顯示全部樓層
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該用戶從未簽到

發表於 2012-5-16 21:43 | 顯示全部樓層
人人都2000+了,imc真的進步不少
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